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Dienstag, 25 Juli 2023 11:59

Effizientere Schaltnetzteile bei 650-V SiC-Schottky-Dioden

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Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten
650-V SiC-Schottky-Diode von Vishay 650-V SiC-Schottky-Diode von Vishay Bild: Vishay

Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.

Der typische Sperrstrom ist bei Raumtemperatur um 30%, und bei hohen Temperaturen um 70% niedriger als bei vergleichbaren Lösungen der Mitbewerber. Dadurch werden Leitungsverluste reduziert und ein hoher Systemwirkungsgrad bei geringer Last und im Leerlauf gewährleistet. Im Gegensatz zu ultraschnellen Dioden haben die Bauelemente der Generation 3 praktisch keine Erholungsphase, was die Effizienz noch weiter erhöht. Die Sperr-Erholzeiten der Dioden sind nahezu temperaturunabhängig und ermöglichen den Betrieb bei höheren Temperaturen bis zu +175°C, ohne dass sich die durch Schaltverluste verursachte Leistungseffizienz ändert.

Typische Anwendungen sind AC/DC- und DC/DC-Ultra-HF-Ausgangsgleichrichter für Energieerzeugungs- und Forschungsanwendungen. Die RoHS-konformen und halogenfreien Dioden haben den HTRB-Test (Higher Temperature Reverse Bias) von 2000 h und Temperaturwechseltest mit 2000 thermischen Zyklen bestanden. Dies entspricht der doppelten Anzahl von Prüfstunden und -zyklen nach AEC-Q101.

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