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Das neue Angebot umfasst fünf 650-V E-Mode GaN-FETs mit RDS(on) zwischen 80 und 190 mΩ in DFN-Gehäusen mit 5 x 6 mm und 8 x 8 mm. Sie optimieren die Effizienz der Leistungswandlung in Hoch- und Niederspannungsanwendungen für Datenübertragung und Telekommunikation, Consumer-Anwendungen, Solaranlagen, Gleichstrom- und Servomotoren für Präzision mit höherem Drehmoment und mehr Leistung.
Außerdem bietet Nexperia jetzt einen 100-V GaN-FET (3,2 mΩ) im WLCSP8-Gehäuse und einen 150-V-Baustein (7 mΩ) im FCLGA. Sie eignen sich für Niederspannungsanwendungen mit hoher Leistung, wie effiziente DC-DC-Wandlung in Rechenzentren, schnelles Aufladen (E-Mobilität und USB-C), kleine LiDAR-Transceiver, rauscharme Audioverstärker der Klasse D und Geräte mit höherer Leistungsdichte wie Mobiltelefone, Laptops und Spielekonsolen.Die Schaltleistung der E-Mode GaN FETs von Nexperia ist auf sehr niedrige Qg- und QOSS-Werte zurückzuführen, während ihr niedriges RDS(on) leistungseffiziente Designs ermöglicht.
Mit den neuen Produktversionen bietet Nexperia somit ein breites Angebot an GaN-FETs für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen. Die E-mode GaN FETs werden auf einer 8-Zoll-Waferlinie gefertigt, um die Kapazität zu erhöhen. Sie sind für industrielle Anwendungen nach JEDEC-Standard qualifiziert. Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden. Die Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung, mit Zertifizierung nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
