Neue 650-V GaN-HEMTs tragen zur Miniaturisierung bei

Nach dem Beginn der Serienfertigung von 150-V GaN-HEMTs mit 8 V Gate-Durchbruchspannung im Jahr 2022 führte Rohm im März 2023 eine Steuer-IC-Technologie zur Leistungsmaximierung ein. Jetzt hat Rohm 650-V GaN-HEMTs entwickelt, die zu höherer Effizienz und verstärkter Miniaturisierung von Stromversorgungssystemen beitragen. GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z bieten Performance für RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss (Index zur Bewertung der Schaltleistung, wobei sich Ciss auf die Gesamtkapazität auf der Eingangsseite und Coss auf die Ausgangsseite bezieht.) Gleichzeitig verbessert ein integriertes ESD-Schutzelement (elektrostatische Entladung) die Durchschlagfestigkeit auf 3,5 kV. Dies erhöht die Zuverlässigkeit der Anwendungen. Die Schaltcharakteristik der GaN-HEMTs trägt auch zur Miniaturisierung von Peripherie-Komponenten bei.

Rohm verbessert mit seinen GaN-Bauelementen der EcoGaN-Produktreihe, die zur Energieeinsparung und zur Miniaturisierung beitragen, die Leistung von Bauelementen. EcoGaN bezieht sich auf die neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren.