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Rosige Aussichten für die weltweiten Chipumsätze pro-gnostiziert Gartner. Dabei setzt sich die Achterbahnfahrt weiter fort. Mit rund 600 Mrd. $ 2021 und 2022 zwei ausgeglichene Jahre. Im letzten Jahr schrumpfte der Markt um 10,9 % auf 534 Mrd. $, vor allem aufgrund des schwachen ersten Halbjahres. Nach der neuesten Gartner-Prognose soll die Chipnachfrage in diesem Jahr auf 624 Mrd. $ wachsen, entsprechend +16,8 %. Auch für 2025 sieht Gartner ein Wachstum von 15,5 % auf 721 Mrd. $, insbesondere angetrieben durch die Segmente KI und Automotive.

Nach der Entscheidung von TSMC, gemeinsam mit europäischen Partnern in Dresden eine 10 Mrd. € teure Chipfabrik zu bauen, sind in Sachsen nun die Debatten um Fachkräfte-Nachschub, über den Ressourcenverbrauch solcher ‚Megafabs', Subventionen und Verkehrsanbindungen in vollem Gange. So regt sich die Sorge, dass die Staatszuschüsse und der Arbeitskräftesog der taiwanesischen Fabrik letztlich zu Lasten des regionalen Mittelstandes gehen könnten. Anderseits wachsen in der Branche selbst die Forderungen, eine nationale und internationale Fachkräfte-Akquise viel systematischer anzugehen, die Stadt Dresden infrastrukturell enger mit den umliegenden Landkreisen zu vernetzen und auch die Berufsschulkapazitäten für Mikrotechnologen und Mechatroniker stark auszubauen. Unterm Strich aber erwarten viele Sachsen einen enormen Schub durch die Ansiedlung des weltweit größten Halbleiterauftragsfertigers.

‚European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC)‘: In Gestalt eines technologisch und regionalpolitisch fein austarierten Joint Ventures mit Infineon, Bosch und NXP verschafft sich der am Weltmarkt führende Chip-Auftragsfertiger TSMC aus Taiwan einen ersten Stützpunkt in Deutschland.

Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.