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Nexperia ergänzt seine GaN-FET-Bauelemente, die auf der Hochspannungs-GaN-HEMT-Technologie basieren und in einem proprietären Kupferclip-CCPAK-Gehäuse verfügbar sind, jetzt um GaN-Kaskodenschalter.

Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.