Siebdruckansatz für die Elektrodenherstellung – Siebdruckfähige PANI/aus Karbid gewonnene Kohlenstoff-SC-Elektrodentinte mit Chitosan-Bindemittel
von Ezgi Inci YesilyurtMit Hilfe von Drucktechnologien können SCs (Superkondensatoren) hergestellt werden, mit dem Vorteil einer präzisen Kontrolle über ihre geometrische Form, Dicke, Zusammensetzung und physikalische Eigenschaften – bei niedrigen Kosten, minimaler Umweltbelastung und hoher Kompatibilität mit Substraten. Die Leistung der im Siebdruckverfahren hergestellten SCs hängt in hohem Maße von der während des Druckprozesses verwendeten Tinte ab. [1, 2] Wichtig ist die Erforschung optimaler Materialien für die Rezeptur effizienter Tinten. Eine jüngst erschienene Studie zeigt, wie sich durch Siebdruck Elektroden mit kohlenstoffbasierten Polymerkomposittinten unter Verwendung eines ungiftigen Chitosan-Bindemittels herstellen lassen.
Omron Europe erläutert im Zusammenhang mit der allgemeinen Situation die sechs wichtigsten Trends, die die industrielle Automatisierung im Jahr 2024 und darüber hinaus beeinflussen werden.
embedded world Exhibition & Conference 2024 – 9.-11. April 2024 in Nürnberg
von Viola KrautzDie ‚embedded world Exhibition & Conference' ist auch in diesem Jahr wieder der Branchentreffpunkt für die weltweite Embedded-Community, Experten, Key Player und Branchenverbände.
Von der Entwicklung bis zur Entsorgung – 81. Treffen des Sächsischen Arbeitskreises Elektronik-Technologie
von Dr. Rolf BiedorfSachsen, insbesondere Dresden, zählt zu den führenden Zentren der Halbleiterindustrie und elektronischen Gerätetechnik. Der Sächsische Arbeitskreis Elektronik-Technologie (SAET) strebt durch regelmäßige Treffen, gemäß den Arbeitsschwerpunkten der VDI/VDE-Gesellschaft Mikro- und Feinwerktechnik, eine offene Zusammenarbeit für Fachexperten in der Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik an.
Feuerläufer in Villingen – EIPC-Winterkonfererenz 2024
von Markolf HoffmannNachdem die letzte Sommerkonferenz des EIPC in München stattgefunden hatte, wurde auch die legendäre Winterkonferenz in den süddeutschen Raum verlagert. Diesmal führte die Reise ins badische Villingen. Das Programm sah ein besonderes Highlight vor – die Besichtigung von Schweizer Electronic in Schramberg.
Kolumne: Auf den Punkt gebracht – Wettbewerb der Chipgiganten – Der Technologiekampf TSMC vs. Intel vs. Samsung
von Hans-Joachim FriedrichkeitRosige Aussichten für die weltweiten Chipumsätze pro-gnostiziert Gartner. Dabei setzt sich die Achterbahnfahrt weiter fort. Mit rund 600 Mrd. $ 2021 und 2022 zwei ausgeglichene Jahre. Im letzten Jahr schrumpfte der Markt um 10,9 % auf 534 Mrd. $, vor allem aufgrund des schwachen ersten Halbjahres. Nach der neuesten Gartner-Prognose soll die Chipnachfrage in diesem Jahr auf 624 Mrd. $ wachsen, entsprechend +16,8 %. Auch für 2025 sieht Gartner ein Wachstum von 15,5 % auf 721 Mrd. $, insbesondere angetrieben durch die Segmente KI und Automotive.
PAUL-Award 2023 – Auf dem Weg zum Kult-Wettbewerb der Elektronik
von Markolf Hoffmann‚Den Nachwuchs feiern' - so hatte Christoph Bornhorn seinen Ankündigungstext eingeleitet, den wir in der PLUS-Ausgabe 11/2023 abgedruckt hatten. Bei der Preisverleihung des PAUL-Awards im letzten Dezember konnten wir uns davon überzeugen, wie ernst der Geschäftsführer der FED-Zentrale Berlin dies gemeint hatte.
Die SGM6027, SGM6027A und SGM6027B des Herstellers SG Micro sind winzige und effiziente, synchrone Abwärtswandler für Eingangsspannungen von 2,5 bis 5,5 Volt mit extrem niedrigem Ruhestrom (580 nA typ.) und einem Wirkungsgrad bis 92 %.
Induktivitäten mit äußerst niedrigem Gleichstromwiderstand
von Roman MeierDie neuen vergossenen SMD-Leistungsinduktivitäten der Serie NPMG von NIC Components warten mit sehr niedrigen DC- und AC-Verlusten auf und lassen sich in DC/DC-Wandlern mit Frequenzen bis zu 5MHz einsetzen.
GaN-FET-Hochspannungsschalter im SMT-Kupferclip-Gehäuse
von Roman MeierNexperia ergänzt seine GaN-FET-Bauelemente, die auf der Hochspannungs-GaN-HEMT-Technologie basieren und in einem proprietären Kupferclip-CCPAK-Gehäuse verfügbar sind, jetzt um GaN-Kaskodenschalter.