GaN-FET-Hochspannungsschalter im SMT-Kupferclip-Gehäuse

Der Galliumnitrid-FET GAN039-650NTB für 650V mit einem On-Widerstand von nur 33mΩ (typ.) bei 25°C im CCPAK1212i-Gehäuse bietet jetzt FET-Schalter-Funktion mit breiter Bandlücke im wärmeeffizienten Kupferclip-Gehäuse.

Diese Technologie punktet laut Hersteller insbesondere bei Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien, wie z. B. Solaranlagen und Wärmepumpen für Wohngebäude sowie bei einem breiten Spektrum industrieller Anwendungen wie Servoantriebe, Schaltnetzteile, Server und Telekommunikation.

Das oberflächenmontierbare CCPAK-Gehäuse nutzt Nexperias Kupferclip-Gehäusetechnologie, um interne Bonddrähte zu ersetzen. Dadurch werden parasitäre Verluste reduziert, die elektrische und thermische Leistung verbessert und die Zuverlässigkeit der Bauteile erhöht. Die CCPAK-GaN-FETs sind wahlweise mit Ober- oder Unterseiten-Entwärmungsfläche versehen, was einen zusätzlichen Freiheitsgrad für das Schaltungsdesign bedeutet. Die Kaskodenkonfiguration des GAN039-650NTB ermögliche laut Hersteller eine sehr gute Schalt- und Durchlassleistung mit einem robusten Gate, das hohe Rauschabstände biete. Diese Eigenschaft vereinfache auch die Anwendungsdesigns, da keine komplexen Gate-Treiber und Steuerschaltungen erforderlich seien.

Nexperia startet sein CCPAK-Portfolio mit dem oberseitengekühlten 33mΩ (typ.), 650 V GAN039-650NTB. Die Variante GAN039-650NBB mit Unterseitenkühlung wird den gleichen RDS(on) –Wert aufweisen.