Forschende am Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration in Berlin haben eine Integrationstechnologie entwickelt, um empfindliche elektronische Bauelemente mit einer biokompatiblen und weichen Verkapselung vor Umgebungseinflüssen zu schützen. In dem von der Europäischen Kommission geförderten ECSEL-Projekt ‚APPLAUSE' war eines der Ziele, ein flexibles und dehnbares Pflaster zu entwickeln, um die Vitalfunktionen von Herzpatient*innen zu messen.

Die immer höheren Anforderungen an die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit in der Halbleiterindustrie bei gleichzeitig kurzen Entwicklungszeiten bis zur Marktreife erhöhen den Bedarf an sehr schnellen Testmethoden. Deshalb wurde vor kurzem der BAMFIT-Tester als äußerst schnelle und effiziente Methode zur Bestimmung der Lebensdauer und Screening von Drahtbonds eingeführt. In diesem Beitrag wird eine praktische Methode für den direkten Vergleich der Drahtbonddegradation durch den mechanischen BAMFIT-Test und das beschleunigte Power Cycling präsentiert. Dabei werden Vergleichskurven erstellt, die eine äußerst schnelle Bestimmung der Restlebensdauer und eine realistische und zuverlässige Lebensdauerprognose für Halbleitermodule durch den BAMFIT-Test ermöglichen.

Keysight Technologies stellt die Präzisions-SMU (Source Measure Unit) der Serie PZ2100 mit hoher Kanaldichte vor. Sie gibt Entwicklern von digitalen Schaltungen 20 Präzisions-SMU-Kanäle im 1U-Rack zur schnelleren Charakterisierung von IC-Designs.

Hannusch Industrieelektronik in Laichingen veranstaltete anlässlich des 35-jährigen Jubiläums einen Technologietag, bei dem nach einem kurzen Rückblick auf die erfolgreiche Firmengeschichte ein Ausblick auf die Zukunft der Elektronikfertigungsbranche gegeben wurde. Die Feierlichkeiten umfassten zudem einen Tag der offenen Tür zur Betriebsbesichtigung sowie einen Festabend.

Abgestimmt auf hohe partikuläre und filmische Reinheitsanforderungen, die bei Hightech-Bauteilen zu erfüllen sind, hat acp systems die Testkapazitäten erweitert. Konstruktion und Ausstattung eines neuen Reinraum-Technikums ermöglichen die Durchführung von Reinigungsversuchen bis Reinheitsklasse ISO 5 mit der trockenen quattroClean-Schneestrahltechnologie sowie den Nachweis der erzielten Sauberkeit.

Erneut präsentieren wir den legendären NTI-100-Bericht von Dr. Hayao Nakahara, der vor 26 Jahren damit begann, jährlich die weltweite Leiterplattenproduktion zu dokumentieren. Sein umfassendes und detailliertes Datenmaterial sucht seinesgleichen. Auch Dr. Nakaharas Bericht für das Jahr 2022 wartet mit Überraschungen auf.

Macht es Sinn, wenn als einziges Land oder Staatenverbund weltweit nur die EU den Verbrennungsmotor ab 2035 verbietet? Ist die E-Mobilität die einzige Alternative ohne ausreichend Rohstoffe, ohne eine nennenswerte eigene Batterieproduktion? Nun steigen wir auch noch aus LIDAR, der Königklasse des ADAS (Advanced Driver Assistance System) aus.

Zuken befasst sich seit fast 50 Jahren mit der Entwicklung von Designwerkzeugen für Leiterplatten. In diesem Zeitabschnitt hat die Firma der Elektronikindustrie bereits fünf Generationen von Tools der CR-Serie bereitgestellt. Das im August 2023 herausgekommene CR-8000 Release 2023 bietet signifikante Verbesserungen in den Bereichen Logikentwicklung, Layout und Analyse, wobei das Unternehmen schon eigene Arbeitsergebnisse im KI-Sektor einbezog.

Der vorliegende Artikel beleuchtet die neuen Möglichkeiten für die Motorensteuerung, die sich durch Fortschritte bei den MOSFETs auf Basis von Siliciumcarbid (SiC-MOSFETs) eröffnen.

Die Bausteine der NCID94xx Serie von onsemi, Halbleiterhersteller mit Hauptsitz in Phoenix, Arizona (USA), realisieren einen galvanisch getrennten digitalen Hochgeschwindigkeits-Vierkanal-Isolator mit Ausgangsfreigabe. Sie unterstützen die isolierte Kommunikation und ermöglichen so den bidirektionalen Full-Duplex-Austausch digitaler Signale zwischen Systemen ohne Erdschleifen oder gefährliche Spannungen. NCID94xx verwendet eine von onsemi patentierte kapazitive Off-Chip-Technologie mit optimiertem Design für hohe Gleichtakt- (100 kV/µs) und Netzversorgungs-Unterdrückung.