Eugen G. Leuze Verlag GmbH & Co. KG
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Eugen G. Leuze Verlag
Freitag, 04 August 2023 11:59

Impressionen von der SMTconnect 2023

von

In der Ausgabe 6/2023 haben wir einiges von der SMTconnect berichtet. Zu kurz kamen aber weitere Messeindrücke und Schnappschüsse der Messe. Das holen wir nun nach – und danken den vielen Ausstellern, die uns an ihren Ständen begrüßten. Die Gespräche mit ihnen über die Messe, die Branche und die neuesten Entwicklungen haben uns sehr begeistert, vielen Dank.

Im Rahmen eines Forschungsvorhabens der Industriellen Gemeinschaftsforschung (IGF) sollen Funktionsschichten auf Basis intrinsisch leitfähiger Polymere entwickelt werden, um einfach aufgebaute und kostengünstig herstellbare Durchbruchsdetektoren mit elektrochemisch aktiven Oberflächen für die AMC-Kontaminanten Ammoniak und Formaldehyd herzustellen. Bei Filtersystemen etwa für den Reinraumbereich der Halbleiter- oder Mikroelektronikfertigung könnte dieser Detektor durch die Verbesserung der Sensitivität und Selektivität Vorteile hinsichtlich Qualitätssteigerung der Luft im Produktionsbereich erzielen sowie sich auf die Kosten und Nachhaltigkeit positiv auswirken.

Mittwoch, 02 August 2023 11:59

Neue Sensorik und Analytik für 3D AOI

von

Auf der SMTconnect 2023 in Nürnberg zeigte die Viscom AG eine Reihe signifikanter Neuheiten auf dem Feld der Analytik und des Testens von Baugruppen und Systemen – unter anderem das System ‚iS6059 PCB Inspection Plus' als Nachfolger des bekannten ‚S3088 ultra gold'.

SMD-Schablonen online beauftragen und noch am selben Tag erhalten – mit diesem Versprechen wirbt Photocad aus Berlin. In der Branche gilt das Unternehmen als schnell, innovativ und zuverlässig. Wir hatten die Gelegenheit, uns selbst von der Arbeitsweise und Produktion des SMD-Schablonenherstellers zu überzeugen.

Die Neuheit LPKF StencilLaser G 60120 erhöht den Arbeitsbereich von 600 mm x 800 mm auf 600 mm x 1200 mm.

Freitag, 28 Juli 2023 11:59

Bericht aus Amerika

von

In der PLUS 3/2023 begann Dr. Hayao Nakahara mit der Kolumne ‚Bericht aus Amerika'. Er wagt eine umfassende Bestandaufnahme der Leiterplattenproduktion Nordamerikas und unternimmt eine weitgehende Recherche. In dieser Ausgabe findet der faszinierende Bericht aus Amerika seine Fortsetzung mit üppigem Datenmaterial.

Kennen Sie die Wertschöpfungskette von Nordsee-Krabben, bevor sie auf dem Krabbenbrötchen landen? Nach dem Fangen und Kochen auf dem Fangkutter, gehen unsere Krabben auf eine Flugreise nach Marokko. Dort erfolgt das händische Pulen aus der Schale durch günstige Arbeitskräfte, bevor sie dann den Rückflug nach Deutschland antreten.

Keysight Technologies hat eine Universal Signal Processing Architecture (USPA)-Prototyping-Plattform vorgestellt, die es Halbleiterunternehmen ermöglicht, ein vollständiges Chip-Prototyping und eine Verifizierung vor dem Tapeout in einer Echtzeit-Entwicklungsumgebung durchzuführen. Dabei werden digitale Zwillinge von vollständig konformen, standardbasierten Signalen integriert.

Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.

Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.

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